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IRLHS6376TRPBF
MOSFET, DOBLE CANAL N, 30V, 3.6A, PQFN-8
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLHS6376TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo99AK9909
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4786RL
Cinta adhesiva91Y4786
Rango de ProductoHEXFET Series
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32 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 1 | $0.218 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.22 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.935 |
| 50+ | $0.583 |
| 100+ | $0.378 |
| 250+ | $0.334 |
| 500+ | $0.288 |
| 1000+ | $0.261 |
| 2500+ | $0.236 |
| 5000+ | $0.198 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 4000+ | $0.218 |
| 12000+ | $0.192 |
| 20000+ | $0.182 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLHS6376TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo99AK9909
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4786RL
Cinta adhesiva91Y4786
Rango de ProductoHEXFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.6
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.048ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.048
Diseño de TransistorDFN2020
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.5
Disipación de Potencia de Canal P1.5
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.048
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.5
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.048ohm
Diseño de Transistor
DFN2020
Disipación de Potencia de Canal N
1.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
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US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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