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IRLML0060TRPBF
N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.7A, SOT-23
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML0060TRPBF
No. Parte Newark
Hilado completo99AK9910
Cinta adhesiva60R6446
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001568948
Su número de pieza
216,924 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.660 | $0.66 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.66 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.660 |
| 10+ | $0.421 |
| 25+ | $0.376 |
| 50+ | $0.331 |
| 100+ | $0.286 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 6000+ | $0.210 |
| 12000+ | $0.189 |
| 24000+ | $0.173 |
| 36000+ | $0.163 |
| 60000+ | $0.153 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML0060TRPBF
No. Parte Newark
Hilado completo99AK9910
Cinta adhesiva60R6446
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001568948
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id2.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.092ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.078ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd1.25W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia1.25W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRLML0060TRPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N para el interruptor de carga/sistema.
- Esquema de pines estándar de la industria
- MSL1, calificación industrial
- Compatibilidad con múltiples proveedores
- Amigable con el medio ambiente
- Montaje Superficial
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.092ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.7A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.078ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRLML0060TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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