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IRLML5203TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML5203TRPBF
No. Parte Newark97K2353
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $0.102 |
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| 50+ | $0.102 |
| 100+ | $0.102 |
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| 1000+ | $0.102 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML5203TRPBF
No. Parte Newark97K2353
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id3A
Resistencia de Activación Rds(on)0.098ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.098ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd1.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia1.25W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRLML5203PBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal P de -30V en paquete Micro3 (SOT-23). Este MOSFET presenta una resistencia extremadamente baja por área de silicio, robustez, conmutación rápida, como resultado, los MOSFET de potencia son bien conocidos por proporcionar una eficiencia y confiabilidad extremas que se pueden usar en una amplia variedad de aplicaciones como administración de baterías, electrónica portátil, tarjetas PCMCIA y ideal para aplicaciones donde el espacio de la placa de circuito impreso es escaso.
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -30V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 98mohm con Vgs de -10V
- Disipación de potencia Pd de 1.25W a 25 °C
- Corriente continua de drenaje Id de -3A en Vgs -10V y 25°C
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.098ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.098ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Disipación de Potencia
1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRLML5203TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto