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IRLR3110ZTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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27,465 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.780 | $2.78 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.78 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.780 |
| 50+ | $1.510 |
| 100+ | $1.380 |
| 250+ | $1.300 |
| 500+ | $1.090 |
| 1000+ | $1.070 |
| 2500+ | $1.050 |
| 5000+ | $1.030 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 6000+ | $0.930 |
| 18000+ | $0.911 |
| 30000+ | $0.893 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLR3110ZTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5420
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9237RL
Cinta adhesiva13AC9237
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id42A
Resistencia de Activación Rds(on)0.011ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia140W
Disipación de Potencia Pd140W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia HEXFET® diseñado específicamente para aplicaciones industriales
- Tecnología de proceso avanzada
- Ultra baja resistencia de encendido
- Temperatura de operación de 175°C
- Conmutación rápida
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.011ohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
140W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
42A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia Pd
140W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRLR3110ZTRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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