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IRLS3036TRLPBF
MOSFET de Potencia, HEXFET®, Canal N, 60 V, 270 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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1,018 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.750 | $4.75 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.75 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.750 |
| 10+ | $3.140 |
| 25+ | $2.830 |
| 50+ | $2.520 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLS3036TRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)39T2139
Cinta adhesiva39T2139
Rango de ProductoHEXFET
También conocido comoSP001568674
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id270
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0024
Resistencia de Activación Rds(on)0.0019ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd380W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia380
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRLS3036TRLPBF es un MOSFET de potencia de un solo canal H de HEXFET® que ofrece resistencia mejorada de puerta, avalancha y dV/dt dinámico. Está optimizado para unidades de nivel lógico. Es adecuado para la rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, circuitos duros y circuitos de alta frecuencia.
- Muy bajo RDS (ON) a 4.5V VGS
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
- Nivel lógico
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0024
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
270
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0019ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
380W
Disipación de Potencia
380
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRLS3036TRLPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto