Imprimir página
IRLZ44NPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLZ44NPBF
No. Parte Newark63J7709
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001568772
Hoja de datos técnicos
57,602 En Stock
¿Necesita más?
1530 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
56072 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.400 |
| 10+ | $0.681 |
| 100+ | $0.666 |
| 500+ | $0.661 |
| 1000+ | $0.603 |
| 4000+ | $0.557 |
| 10000+ | $0.501 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.40
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLZ44NPBF
No. Parte Newark63J7709
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001568772
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id47A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.022ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd83W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia110W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRLZ44NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal de 55V con una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápida utilizando tecnología planar avanzada.
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
- Unidad de puerta de nivel lógico
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
47A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.022ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
83W
Disipación de Potencia
110W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto