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ISC022N10NM6ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 230 A, 0.00224 ohm, TSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteISC022N10NM6ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5444
Re-reeling (Rollos a medida)90AJ6118RL
Cinta adhesiva90AJ6118
Rango de ProductoOptiMOS 6 Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $7.590 | $37.95 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $37.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $7.590 |
| 50+ | $5.420 |
| 100+ | $4.180 |
| 250+ | $4.050 |
| 500+ | $3.920 |
| 1000+ | $3.850 |
| 2500+ | $3.760 |
| 5000+ | $3.690 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5000+ | $3.390 |
| 15000+ | $3.330 |
| 25000+ | $3.250 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteISC022N10NM6ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5444
Re-reeling (Rollos a medida)90AJ6118RL
Cinta adhesiva90AJ6118
Rango de ProductoOptiMOS 6 Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id230A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2240µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTSON
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia254W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS 6 Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
ISC022N10NM6ATMA1 is an OptiMOS™6 power-transistor. It is fully qualified according to JEDEC for industrial applications.
- N-channel, normal level, very low on-resistance RDS(on)
- Excellent gate charge xRDS (on) product (FOM)
- Very low reverse recovery charge (Qrr)
- High avalanche energy rating
- Optimized for high frequency switching and synchronous rectification
- Drain-source breakdown voltage is 100V min at VGS=0V,ID=1mA, Tj=25°C
- Drain-source on-state resistance is 1.8mohm typ at VGS=10V, ID=50A, Tj=25°C
- Diode continuous forward current is 212A max at TC=25°C
- PG-TSON-8 package
- Operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2240µohm
Diseño de Transistor
TSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 6 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
230A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Disipación de Potencia
254W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto