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S25FL256LDPNFI010
Memoria Flash, NOR Serial, 256 Mbit, 32M x 8bit, SPI, WSON, 8 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS25FL256LDPNFI010Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark62AK5926
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.950 |
| 10+ | $3.740 |
| 25+ | $3.660 |
| 50+ | $3.570 |
| 100+ | $3.510 |
| 250+ | $3.280 |
| 500+ | $3.210 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS25FL256LDPNFI010Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark62AK5926
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashSerial NOR
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria256
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria32M x 8bit
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesSPI
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIWSON
No. de Pines8Pines
Frecuencia Max de Reloj66
Frecuencia de Reloj0
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S25FL256LDPNFI010 es un circuito integrado de memoria flash SPI no volátil de la serie S25FL256L que utiliza tecnología de puerta flotante y litografía de proceso de 65nm. La familia FL-L se conecta a un sistema host mediante una interfaz periférica se
- Polaridad del reloj y modos de fase 0 y 3, modos de lectura: ráfaga continua, continuo (XIP), QPI
- Parámetros detectables de flash en serie (SFDP) para información de configuración
- Borrado de arquitectura uniforme de sector de 4KB, borrado uniforme de medio bloque de 32KB, borrado uniforme de bloque de 64KB
- 100000 ciclos de programación/borrado mínimo , retención de datos de 20 años como mínimo
- Cuatro regiones de seguridad de 256 bytes cada una fuera de la matriz flash principal
- Protección del registro de estado y configuración, protección individual y regional
- Cerradura de bloque individual: sector/bloque individual volátil, región de puntero
- El voltaje de suministro único con E/S CMOS de 2.7V a 3.6V.
- Densidad de 256Mb, velocidad DDR de 66MHz, encapsulado WSON de 8 contactos.
- Temperatura industrial (de –40 °C a +85 °C), encapsulado SOIC8 (208 mil) / huella WSON de 8 contactos
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Serial NOR
Densidad de Memoria
256
Configuración de Memoria
32M x 8bit
Interfaces
SPI
Estuche / Paquete CI
WSON
Frecuencia Max de Reloj
66
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria Flash
0
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
8Pines
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Serial NOR Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto