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S25FL256SAGNFB000
Memoria Flash, NOR Serial, 256 Mbit, 32M x 8bit, SPI, WSON, 8 Pines
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| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | S25FL256SAGNFB000Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 18 semanas |
| No. Parte Newark | 99AC9677 |
| Rango de Producto | 3V Serial NOR Flash Memories |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
543 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.260 |
| 10+ | $5.830 |
| 25+ | $5.660 |
| 50+ | $5.520 |
| 100+ | $5.380 |
| 250+ | $5.280 |
| 500+ | $5.160 |
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | S25FL256SAGNFB000Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 18 semanas |
| No. Parte Newark | 99AC9677 |
| Rango de Producto | 3V Serial NOR Flash Memories |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Memoria Flash | NOR Serial |
| Densidad de Memoria | 256 |
| Tamaño de la Memoria | 0 |
| Configuración Memoria Flash | 0 |
| Configuración de Memoria | 32M x 8bit |
| Tipo de Interfaz IC | 0 |
| Interfaces | CFI, SPI |
| Estuche / Paquete CI | WSON-EP |
| Memoria, Tipo | 0 |
| No. de Pines | 8Pines |
| Frecuencia de Reloj | 0 |
| Frecuencia Max de Reloj | 133 |
| Tiempo de Acceso | - |
| Tensión de Alimentación Mín. | 2.7 |
| Tensión de Alimentación Máx. | 3.6 |
| Tensión de Alimentación Nom. | 3V |
| IC, Montaje | Surface Mount |
| Temperatura de Trabajo Mín. | -40 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 105 |
| Rango de Producto | 3V Serial NOR Flash Memories |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El S25FL256SAGNFB000 es una memoria flash FL-S SPI multi-E/S de 3.0V y 256Mb (32MB). Se trata de una memoria flash no volátil que utiliza la tecnología MIRRORBIT™, que almacena dos bits de datos en cada transistor de la matriz de memoria, con arquitectura
- Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátil
- Resistencia de ciclos, 100,000 ciclos de borrado de programa, mínimo
- Retención de datos de 20 años, mínimo
- Matriz OTP de 1024 bytes, protección de bloque
- Bits de registro de estado para controlar la protección contra el programa o el borrado de un rango contiguo de sectores
- Protección avanzada del sector (ASP), protección individual del sector controlada por código de arranque o contraseña
- Tecnología MIRRORBIT™ de 65nm con arquitectura Eclipse.
- Voltaje de alimentación del núcleo: 2.7 V a 3.6 V
- Paquete WSON de 8 contactos
- Rango de temperatura: grado 2 de la norma automotriz AEC-Q100 (-40 °C a +105 °C)
Especificaciones técnicas
| Tipo de Memoria Flash | NOR Serial |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 0 |
| Configuración de Memoria | 32M x 8bit |
| Interfaces | CFI, SPI |
| Memoria, Tipo | 0 |
| Frecuencia de Reloj | 0 |
| Tiempo de Acceso | - |
| Tensión de Alimentación Máx. | 3.6 |
| IC, Montaje | Surface Mount |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 105 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Densidad de Memoria | 256 |
|---|---|
| Configuración Memoria Flash | 0 |
| Tipo de Interfaz IC | 0 |
| Estuche / Paquete CI | WSON-EP |
| No. de Pines | 8Pines |
| Frecuencia Max de Reloj | 133 |
| Tensión de Alimentación Mín. | 2.7 |
| Tensión de Alimentación Nom. | 3V |
| Temperatura de Trabajo Mín. | -40 |
| Rango de Producto | 3V Serial NOR Flash Memories |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | 3A991.b.1.a |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |