S25FL512SAGMFI010

S25FL512SAGMFI010 es una memoria flash no volátil FL-S de 512Mb (64MB) que utiliza tecnología MirrorBit™ que almacena dos bits de datos en cada transistor de matriz de memoria, arquitectura eclipse, que mejora drásticamente el rendimiento de programación y borrado, litografía de proceso de 65nm. Este dispositivo se conecta a un sistema host a través de un SPI. Se admite la entrada y salida serial SPI tradicional de un solo bit (E/S simple o SIO), así como comandos seriales opcionales de dos bits (E/S dual o DIO) y cuatro bits (E/S cuádruple o QIO). Esta interfaz de ancho múltiple se llama SPI Multi-I/O o MIO. Además, la familia FL-S agrega soporte para comandos de lectura de doble velocidad de datos (DDR) para SIO, DIO y QIO que transfieren direcciones y leen datos en ambos bordes del reloj. La arquitectura Eclipse cuenta con un búfer de programación de páginas que permite programar hasta 256 palabras (512 bytes) en una operación, lo que da como resultado una programación y un borrado más rápidos y efectivos que los algoritmos de programación o borrado SPI de generaciones anteriores.

• Velocidad de 133MHz, tipo de sectores uniformes de 256kB
• Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátil, SPI con E/S múltiple
• Polaridad del reloj SPI y modos de fase 0 y 3
• Normal, rápido, dual, cuádruple, DDR rápido, DDR dual, DDR cuádruple
• Datos de interfaz flash común (CFI) para información de configuración
• Programación de página de entrada cuádruple (APP) para sistemas de reloj lento
• 100,000 ciclos de borrado de programas (mín.), retención de datos de 20 años (mín.)
• Bits de registro de estado para controlar la protección contra el programa o el borrado de un rango contiguo de sectores
• Protección individual del sector controlada por código de arranque o contraseña
• Paquete SO de 16 pines, rango de temperatura industrial de -40 °C a + 85 °C