S26KS512SDPBHV020

El S26KS512SDPBHV020 es un dispositivo flash NOR MIRRORBIT™ CMOS de alta velocidad S26KS512S HYPERFLASH™ con interfaz DDR de bajo conteo de señales HYPERBUS™, que logra un alto rendimiento de lectura. El protocolo DDR transfiere dos bytes de datos por cic

• 1.8V E/S, 11 señales de bus, reloj de terminación simple, bus de datos de 8 bits (DQ[7:0])
• 12 señales de bus, reloj diferencial (CK, CK#), selección de chip (CS#), protección avanzada de sectores
• Estrobograma de datos de lectura/escritura (RWDS): Las memorias HYPERFLASH™ utilizan RWDS únicamente como estrobograma de datos de lectura
• Rendimiento de lectura sostenido de hasta 333MB/s, DDR: dos transferencias de datos por ciclo de reloj
• Tiempo de acceso aleatorio inicial de lectura de 96ns, latencia de lectura de acceso aleatorio inicial: De 5 a 16 ciclos de reloj
• Tipo de ráfaga envuelta o lineal seleccionado en cada transacción, potencia de accionamiento de salida configurable
• Salida INT# para generar interrupción externa, transición de ocupado a listo, detección ECC
• Salida RSTO# para generar reinicio por encendido a nivel de sistema, con periodo RSTO# BAJO configurable por el usuario.
• Densidad de 512Mb, velocidad de 166MHz, encapsulado FBGA
• Rango de temperatura industrial plus (-40 °C a +105 °C)