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S29GL01GS11FHIV10
MEMORIA FLASH, 1GBIT, -40 A 85°C
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS11FHIV10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark62AK5981
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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885 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $18.680 |
| 10+ | $17.320 |
| 25+ | $16.770 |
| 50+ | $16.470 |
| 100+ | $16.190 |
| 250+ | $15.670 |
| 500+ | $14.980 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS11FHIV10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark62AK5981
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria1
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria128M x 8bit
InterfacesParallel
Tipo de Interfaz IC0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines64Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso110
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S29GL01GS11FHIV10 es un circuito integrado de memoria flash en modo página S29GL01GS MIRRORBIT™ fabricado con tecnología de proceso de 65nm. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de hasta 15ns con un tiempo de acceso aleatorio
- Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátiles, alimentación única (VCC) para lectura/programación/borrado (de 2.7V a 3.6V).
- Función de E/S versátil, amplio rango de voltaje de E/S (VIO): 1.65V a VCC, tiempo de acceso aleatorio de 110ns
- Bus de datos ×16, lectura de página asíncrona de 32 bytes, búfer de programación de 512 bytes
- Comprobación y corrección automática de errores (ECC): ECC de hardware interno con corrección de errores de un solo bit
- Borrado de sectores uniforme: sectores de 128kbytes, protección avanzada de sectores (ASP), retención de datos de 20 años.
- Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
- Comandos de suspensión y reanudación para operaciones de programación y borrado, 100000 ciclos de programación/borrado.
- Matriz de programación única (OTP) independiente de 1024bytes con dos regiones bloqueables
- Encapsulado reforzado de matriz de rejilla de bolas (LAA064), rango de temperatura industrial (–40 a 85 °C)
- VIO=1.65V a VCC, VCC=2.7V a 3.6V, sector de dirección más alta protegido
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Densidad de Memoria
1
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Tipo de Interfaz IC
0
Estuche / Paquete CI
FBGA
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
110
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
Parallel
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
64Pines
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto