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S29GL01GS11TFIV13
Memoria Flash, NOR Paralela, 1 Gbit, 128M x 8bit, Paralelo, TSOP, 56 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS11TFIV13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)86AK7848RL
Cinta adhesiva86AK7848
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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947 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $21.380 | $21.38 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $21.38 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $21.380 |
| 50+ | $18.510 |
| 100+ | $18.120 |
| 250+ | $17.610 |
| 500+ | $17.210 |
| 1000+ | $16.800 |
| 2500+ | $16.460 |
| 5000+ | $16.130 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS11TFIV13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)86AK7848RL
Cinta adhesiva86AK7848
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Densidad de Memoria1
Configuración de Memoria128M x 8bit
InterfacesParallel
Estuche / Paquete CITSOP
No. de Pines56Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso110
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S29GL01GS11TFIV13 es un circuito integrado de memoria flash en modo página S29GL01GS MIRRORBIT™ fabricado con tecnología de proceso de 65nm. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de hasta 15ns con un tiempo de acceso aleatorio
- Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátiles, alimentación única (VCC) para lectura/programación/borrado (de 2.7V a 3.6V).
- Función de E/S versátil, amplio rango de voltaje de E/S (VIO): 1.65V a VCC, tiempo de acceso aleatorio de 110ns
- Bus de datos ×16, lectura de página asíncrona de 32 bytes, búfer de programación de 512 bytes
- Comprobación y corrección automática de errores (ECC): ECC de hardware interno con corrección de errores de un solo bit
- Borrado de sectores uniforme: sectores de 128kbytes, protección avanzada de sectores (ASP), retención de datos de 20 años.
- Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
- Comandos de suspensión y reanudación para operaciones de programación y borrado, 100000 ciclos de programación/borrado.
- Matriz de programación única (OTP) independiente de 1024bytes con dos regiones bloqueables
- Encapsulado TSOP con configuración de pines estándar, rango de temperatura industrial de -40 °C a 85 °C.
- VIO=1.65V a VCC, VCC=2.7V a 3.6V, sector de dirección más alta protegido
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Estuche / Paquete CI
TSOP
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Densidad de Memoria
1
Interfaces
Parallel
No. de Pines
56Pines
Tiempo de Acceso
110
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto