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S29GL01GS12DHVV10
MEMORIA FLASH, 1GBIT, -40 A 105°C
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS12DHVV10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark62AK5983
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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213 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $20.210 |
| 10+ | $18.730 |
| 25+ | $18.160 |
| 50+ | $16.750 |
| 100+ | $16.290 |
| 250+ | $16.160 |
| 520+ | $16.040 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS12DHVV10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark62AK5983
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Densidad de Memoria1
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria128M x 8bit
InterfacesParallel
Tipo de Interfaz IC0
Estuche / Paquete CIFBGA
Memoria, Tipo0
No. de Pines64Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Frecuencia de Reloj0
Tiempo de Acceso120
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S29GL01GS12DHVV10 es una memoria flash MIRRORBIT™ Eclipse fabricada con tecnología de proceso de 65nm. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de hasta 15ns con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente de hasta 90ns. Incorpo
- Velocidad de acceso aleatorio de 120ns
- Encapsulado reforzado de matriz de rejilla de bolas (LAE064)
- Rango de temperatura plus industrial de -40 °C a +105 °C
- VIO=1.65V a VCC, VCC=2.7V a 3.6V, sector de dirección más alta protegido
- Bus de datos ×16, lectura de página asíncrona de 32bytes
- Programación en múltiplos de página, hasta un máximo de 512bytes
- Comprobación y corrección automática de errores ECC interno por hardware con corrección de errores de un solo bit.
- Borrado de sectores, sectores uniformes de 128KB
- Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
- 100000 ciclos de programación/borrado, 20 años de retención de datos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
Frecuencia Max de Reloj
-
Tiempo de Acceso
120
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Densidad de Memoria
1
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
Parallel
Estuche / Paquete CI
FBGA
No. de Pines
64Pines
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto