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S29GL01GT11TFIV20
MEMORIA FLASH, 1GBIT, -40 A 105°C
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GT11TFIV20Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark62AK5985
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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897 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $19.240 |
| 10+ | $17.850 |
| 25+ | $17.300 |
| 50+ | $16.500 |
| 100+ | $16.080 |
| 250+ | $15.860 |
| 500+ | $14.870 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GT11TFIV20Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark62AK5985
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria1
Configuración de Memoria128M x 8bit
Configuración Memoria Flash0
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesParallel
Estuche / Paquete CITSOP
Memoria, Tipo0
No. de Pines56Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso110
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
S29GL01GT11TFIV20 es una memoria flash MIRRORBIT™ fabricada con tecnología de proceso de 45nm. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de hasta 15 ns, con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente de hasta 100 ns. Cuenta con un
- Tipo de paquete 56-TSOP
- Fuente de alimentación única (VCC) para lectura/programación/borrado (2.7V a 3.6V)
- Función de E/S versátil: amplio rango de voltaje de E/S (VIO) de 1.65V a VCC
- Bus de datos ×8/×16, lectura asíncrona de página de 32 bytes, cuatro regiones bloqueables (SSR 0–SSR3)
- Opciones de palabra única y programa múltiple en la misma palabra; SSR0 viene bloqueado de fábrica.
- Comprobación y corrección automática de errores ECC interno por hardware con corrección de errores de un solo bit.
- Borrado de sectores, sectores uniformes de 128KB, SSR3 con protección de lectura por contraseña
- Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
- Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
- Métodos de protección volátiles y no volátiles para cada sector
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Densidad de Memoria
1
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
Parallel
Memoria, Tipo
0
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
110
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Tipo de Interfaz IC
0
Estuche / Paquete CI
TSOP
No. de Pines
56Pines
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto