S29GL512S10TFI010
Memoria Flash, NOR Paralela, 512 Mbit, 32M x 16bit, Paralelo, TSOP, 56 Pines
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | S29GL512S10TFI010Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 18 semanas |
| No. Parte Newark | 17AC0738 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
¿Necesita más?
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.840 |
| 10+ | $11.930 |
| 25+ | $11.550 |
| 50+ | $10.250 |
| 100+ | $8.960 |
| 250+ | $7.650 |
| 500+ | $6.350 |
Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | S29GL512S10TFI010Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 18 semanas |
| No. Parte Newark | 17AC0738 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Memoria Flash | Parallel NOR |
| Tamaño de la Memoria | 0 |
| Densidad de Memoria | 512 |
| Configuración Memoria Flash | 0 |
| Configuración de Memoria | 32M x 16bit |
| Tipo de Interfaz IC | 0 |
| Interfaces | Parallel |
| Memoria, Tipo | 0 |
| Estuche / Paquete CI | TSOP |
| No. de Pines | 56Pines |
| Frecuencia de Reloj | 0 |
| Frecuencia Max de Reloj | - |
| Tiempo de Acceso | 100 |
| Tensión de Alimentación Mín. | 2.7 |
| Tensión de Alimentación Máx. | 3.6 |
| Tensión de Alimentación Nom. | - |
| IC, Montaje | Surface Mount |
| Temperatura de Trabajo Mín. | -40 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 85 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
La S29GL512S10TFI010 es una memoria flash de página de 512Mbit y 3V con tecnología de proceso MirrorBit de 90nm en un paquete TSOP de 56 pines. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de 25ns con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente tan rápido como 100ns en VCC regulado. Cuenta con un buffer de escritura que permite programar un máximo de 32 palabras/64 bytes en una operación, lo que da como resultado un tiempo de programación efectivo más rápido que los algoritmos de programación estándar. Es un dispositivo ideal para las aplicaciones integradas actuales que requieren mayor densidad, mejor rendimiento y menor consumo de energía. Tiene una arquitectura de sector uniforme de 64Kword/128Kbyte con quinientos doce sectores, entrada de reinicio de hardware (RESET#) reinicia el dispositivo y salida listo/ocupado# (RY/BY#) detecta la finalización del ciclo de programa o borrado.
- VIO = VCC = 2.7V a 3.6V, sector de dirección más alta protegido
- Búfer de lectura de página de 8 palabras/16 bytes
- 100000 ciclos de borrado por sector típicos y retención de datos típica de 20 años
- Los bits de estado de la operación de escritura indican la finalización de la operación de programa y borrado.
- Desbloquear el comando de omisión del programa para reducir el tiempo de programación
- Compatibilidad con CFI (Interfaz Flash Común)
- Métodos persistentes y con contraseña de protección avanzada del sector
- Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
- Rango de temperatura industrial de -40°C a +85°C
- Entrada WP#/ACC, protege el primer o último sector independientemente de la configuración de protección del sector
Especificaciones técnicas
| Tipo de Memoria Flash | Parallel NOR |
|---|---|
| Densidad de Memoria | 512 |
| Configuración de Memoria | 32M x 16bit |
| Interfaces | Parallel |
| Estuche / Paquete CI | TSOP |
| Frecuencia de Reloj | 0 |
| Tiempo de Acceso | 100 |
| Tensión de Alimentación Máx. | 3.6 |
| IC, Montaje | Surface Mount |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 85 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Tamaño de la Memoria | 0 |
|---|---|
| Configuración Memoria Flash | 0 |
| Tipo de Interfaz IC | 0 |
| Memoria, Tipo | 0 |
| No. de Pines | 56Pines |
| Frecuencia Max de Reloj | - |
| Tensión de Alimentación Mín. | 2.7 |
| Tensión de Alimentación Nom. | - |
| Temperatura de Trabajo Mín. | -40 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | 3A991B1A |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |