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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS70KS1282GABHV020Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark62AK6016
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116 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.200 |
| 10+ | $7.640 |
| 25+ | $7.420 |
| 50+ | $7.250 |
| 100+ | $7.080 |
| 250+ | $6.960 |
| 500+ | $6.780 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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$8.20
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS70KS1282GABHV020Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark62AK6016
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMHyperRAM
Densidad de Memoria128
Densidad de DRAM0
Configuración de Memoria16M x 8bit
Configuración Memoria DRAM0
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj200
Estuche / Paquete CIFBGA
Memoria, Tipo0
No. de Pines24Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.8
IC, MontajeSurface Mount
Tiempo de Acceso0
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S70KS1282GABHV020 es una memoria DRAM autorrefrescante (PSRAM) HYPERRAM™ S70KS1282 de 128Mb y 1.8V. La matriz DRAM utiliza celdas dinámicas que requieren una actualización periódica. La lógica de control de actualización dentro del dispositivo gestiona
- Reloj de terminación simple (CK): 11 señales de bus, selección de chip (CS#), bus de datos de 8 bits (DQ[7:0]).
- Salida al inicio de todas las transacciones para indicar la latencia de actualización.
- Salida durante las transacciones de lectura como señal de lectura
- El reloj con desfase se utiliza para desplazar el flanco de transición RWDS dentro del diagrama de ojo de los datos de lectura.
- Frecuencia de reloj máxima de 200MHz, DDR - transfiere datos en ambos flancos del reloj.
- Potencia de salida configurable, modo de suspensión híbrido, apagado profundo
- Tecnología de proceso DRAM de 38 nm - HYPERBUS™
- Velocidad de 200MHz
- Paquete FBGA de 24 bolas
- Rango de temperatura industrial plus (-40 °C a +105 °C)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
HyperRAM
Densidad de DRAM
0
Configuración Memoria DRAM
0
Frecuencia Max de Reloj
200
Memoria, Tipo
0
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
Tiempo de Acceso
0
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Densidad de Memoria
128
Configuración de Memoria
16M x 8bit
Frecuencia de Reloj
0
Estuche / Paquete CI
FBGA
No. de Pines
24Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
