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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS76HL512TC0BHB000Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark62AK4224
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $28.820 |
| 5+ | $27.490 |
| 10+ | $26.140 |
| 25+ | $25.380 |
| 50+ | $24.810 |
| 100+ | $23.540 |
| 250+ | $23.290 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS76HL512TC0BHB000Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark62AK4224
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria Flash-
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria512
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria-
InterfacesHyperBus
Tipo de Interfaz IC0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines24Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj166
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S76HL512TC0BHB000 es una memoria flash SEMPER™ de 512Mb y una memoria HYPERRAM™ 2.0 de 64Mb. Un MCP HYPERBUS™ reduce el espacio en la placa y la congestión del enrutamiento de la señal en la placa de circuito impreso (PCB), a la vez que mantiene o mejo
- Dispositivo de memoria flash SEMPER™ con una densidad de memoria flash SEMPER™ de 512Mb y tecnología de proceso MIRRORBIT™ de 45nm.
- Densidad de 64Mb HYPERRAM™, tipo de encapsulado FBGA de 24 bolas.
- Automotriz, grado AEC-Q100 2 (–40 °C a +105 °C), 166MHz
- 3.0 V, 512MB de memoria flash SEMPER™ y 64MB de memoria HYPERRAM™ 2.0
- Estrobograma de datos (DS/RWDS), DS/máscara bidireccional, frecuencia de reloj de hasta 200 MHz (400 MB/s) a 1.8V VCC.
- Salida al inicio de todas las transacciones para indicar la latencia de actualización.
- Salida durante las transacciones de lectura como señal de lectura de datos (DS), señales opcionales.
- Salida RSTO# para generar reinicio por encendido (POR) a nivel de sistema.
- DDR de alto rendimiento, dos transferencias de datos por ciclo de reloj, hasta una frecuencia de reloj de 166MHz (333MB/s) a 3.0 V VCC.
- Periodo bajo RSTO# configurable por el usuario, salida INT# para generar interrupción externa.
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
-
Densidad de Memoria
512
Configuración de Memoria
-
Tipo de Interfaz IC
0
Estuche / Paquete CI
FBGA
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
HyperBus
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
24Pines
Frecuencia Max de Reloj
166
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
