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S78HL512TC0BHB003
MEMORIA FLASH, 512MBIT, -40 A 105°C
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS78HL512TC0BHB003Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)62AK4229RL
Cinta adhesiva62AK4229
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $25.340 | $25.34 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $25.34 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $25.340 |
| 50+ | $22.160 |
| 100+ | $21.600 |
| 250+ | $20.890 |
| 500+ | $20.480 |
| 1000+ | $20.060 |
| 2500+ | $19.640 |
| 5000+ | $19.220 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS78HL512TC0BHB003Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)62AK4229RL
Cinta adhesiva62AK4229
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria Flash-
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria512
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria-
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesHyperBus
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines24Pines
Frecuencia Max de Reloj166
Frecuencia de Reloj0
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- SEMPER™ Flash e HYPERRAM™ 2.0 con interfaz HYPERBUS™ en encapsulado multichip (MCP)
- 3.0 V, 512MB de memoria flash SEMPER™ y 64MB de memoria HYPERRAM™ 2.0
- Densidad de memoria flash SEMPER™ de 512Mb, tecnología de proceso MIRRORBIT™ de 45nm, tecnología de dispositivo de memoria flash SEMPER™.
- Densidad de 64Mb HYPERRAM™, encapsulado FBGA de 24 bolas, material de encapsulado con bajo contenido de halógenos.
- Automotriz, grado AEC-Q100 2, rango de temperatura de funcionamiento de -40 °C a +105 °C, 166MHz
- Selección de chip (CS#), bus de datos de 8 bits (DQ[7:0]), señal de datos (DS/RWDS)
- DS/máscara bidireccional, salida al inicio de todas las transacciones para indicar la latencia de actualización.
- Salida durante las transacciones de lectura como señal de lectura de datos (DS), señales opcionales.
- Transición de ocupado a listo, salida RSTO# para generar reinicio de encendido (POR) a nivel del sistema.
- Periodo bajo RSTO# configurable por el usuario, alto rendimiento, DDR, dos transferencias de datos por ciclo
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
-
Densidad de Memoria
512
Configuración de Memoria
-
Interfaces
HyperBus
Estuche / Paquete CI
FBGA
Frecuencia Max de Reloj
166
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria Flash
0
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
24Pines
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto