S80KS5122GABHA020

El S80KS5122GABHA020 es una memoria RAM dinámica (DRAM) HYPERRAM™ con autorrefresco e interfaz HYPERBUS™. La matriz DRAM utiliza celdas dinámicas que requieren una actualización periódica. La lógica de control de actualización dentro del dispositivo gestiona las operaciones de actualización en la matriz DRAM cuando la memoria no está siendo leída o escrita activamente por el host de la interfaz HYPERBUS™. Dado que el host no necesita gestionar ninguna operación de actualización, la matriz DRAM se presenta al host como si la memoria utilizara celdas estáticas que retienen datos sin necesidad de actualización. Por lo tanto, la memoria se describe con mayor precisión como RAM pseudoestática (PSRAM). Dado que las celdas DRAM no se pueden actualizar durante una transacción de lectura o escritura, es necesario que el host limite la duración de las transferencias en ráfaga de lectura o escritura para permitir las operaciones de actualización de la lógica interna cuando sean necesarias. El sistema anfitrión debe limitar la duración de las transacciones y permitir una latencia de acceso inicial adicional al comienzo de una nueva transacción, si la memoria indica que es necesaria una operación de actualización.

• Soporte para interfaz de 1.8V, reloj de terminación simple (CK) - 11 señales de bus
• Señal de lectura/escritura bidireccional (RWDS), que se emite durante las transacciones de lectura como señal de lectura.
• Salida al inicio de todas las transacciones para indicar la latencia de actualización.
• Entrada durante las transacciones de escritura como máscara de datos de escritura
• Frecuencia de reloj máxima de 200MHz
• El tiempo máximo de acceso (tACC) es de 35ns.
• El rango de alimentación VCC es de 1.7 a 2V.
• Densidad de 512Mb
• Paquete FBGA de 24 bolas
• Automotriz, rango de temperatura AEC-Q100 grado 3 (-40°C a 85°C)