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SMBTA42E6327HTSA1
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 300 V, 500 mA, 360 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSMBTA42E6327HTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)24AC9853RL
Cinta adhesiva24AC9853
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Re-reeling (Rollos a medida) | 1 | $0.595 | $0.60 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.60 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.595 |
| 50+ | $0.364 |
| 100+ | $0.232 |
| 250+ | $0.204 |
| 500+ | $0.174 |
| 1000+ | $0.155 |
| 2500+ | $0.143 |
| 5000+ | $0.130 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSMBTA42E6327HTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)24AC9853RL
Cinta adhesiva24AC9853
Hoja de datos técnicos
Resumen del producto
SMBTA42E6327HTSA1 is a NPN silicon high-voltage transistor.
- Low collector-emitter saturation voltage
- Qualified according AEC Q101
- 300V minimum collector-emitter breakdown voltage at IC = 1mA, IB = 0
- 300V minimum collector base breakdown voltage at IC = 100µA, IE = 0
- 6V minimum emitter-base breakdown voltage at IE = 100µA, IC = 0
- 25 DC current gain at IC = 1mA, VCE = 10V
- 0.5V maximum collector-emitter saturation voltage at IC = 20mA, IB = 2mA
- 70MHz transition frequency at IC = 10MHz, VCE = 20V, f = 100MHz
- 500 mA collector current, 100mA base current
- 3 pin SOT23 package, 150°C junction temperature
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto