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SPD04N60C3ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 4.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD04N60C3ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark47W3756
También conocido comoSPD04N60C3, SP001117764
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD04N60C3ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark47W3756
También conocido comoSPD04N60C3, SP001117764
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id4.5
Resistencia de Activación Rds(on)0.85ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.95
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd50W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia50
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SPD04N60C3 es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 650V que presenta una corriente de puerta ultrabaja. Es adecuado para aplicaciones de servidor, telecomunicaciones, Alimentación de PC y adaptadores.
- Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
- Extremo dV/dt clasificado
- Alta capacidad de corriente pico
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Transconductancia mejorada
- Clasificado avalancha periódica
- Baja resistencia específica en estado ON
- Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @ 400V
- Calidad probada en el campo CoolMOS™
- Alta eficiencia y densidad de potencia
- Excelente desempeño
- Alta confiabilidad
- Fácil de usar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.85ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
50W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.95
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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