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SPD07N60C3ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD07N60C3ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33P8209RL
Cinta adhesiva33P8209
También conocido comoSPD07N60C3, SP001117774
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.210 | $3.21 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3.21 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.210 |
| 50+ | $2.080 |
| 100+ | $1.440 |
| 250+ | $1.340 |
| 500+ | $1.220 |
| 1000+ | $1.200 |
| 2500+ | $1.170 |
| 5000+ | $1.140 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD07N60C3ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33P8209RL
Cinta adhesiva33P8209
También conocido comoSPD07N60C3, SP001117774
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id7.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.6
Resistencia de Activación Rds(on)0.54ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd83W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia83
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SPD07N60C3 es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 650V que presenta una corriente de puerta ultrabaja. Es adecuado para aplicaciones de servidor, telecomunicaciones, Alimentación de PC y adaptadores.
- Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
- Extremo dV/dt clasificado
- Alta capacidad de corriente pico
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Transconductancia mejorada
- Clasificado avalancha periódica
- Baja resistencia específica en estado ON
- Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @ 400V
- Calidad probada en el campo CoolMOS™
- Alta eficiencia y densidad de potencia
- Excelente desempeño
- Alta confiabilidad
- Fácil de usar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.6
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
83W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
7.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.54ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
83
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SPD07N60C3ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto