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SPW55N80C3FKSA1
MOSFET, N CH, 850V, 54.9A, TO-247-3
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FabricanteINFINEON
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $17.430 |
| 10+ | $15.180 |
| 25+ | $12.940 |
| 50+ | $10.700 |
| 100+ | $9.900 |
| 250+ | $9.220 |
| 500+ | $9.040 |
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Información del producto
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Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark85X7431
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds850V
Intensidad Drenador Continua Id54.9A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.077ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia500W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
850V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
54.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.077ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
500W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
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Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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