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IS41LV16105D-50TLI
DRAM, 1M x 16bit, 50ns, Interfaz Paralela, TSOP-II-44
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS41LV16105D-50TLI
No. Parte Newark37AC0634
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS41LV16105D-50TLI
No. Parte Newark37AC0634
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMFP
Configuración Memoria DRAM1M x 16bit
Memoria, TipoTSOP-II
Densidad de Memoria16
Densidad de DRAM16Mbit
Configuración de Memoria1M x 16bit
Tipo de Interfaz ICParallel
Frecuencia Max de Reloj-
Frecuencia de Reloj-
Estuche / Paquete CITSOP-II
Tiempo de Acceso50ns
No. de Pines44Pines
Tensión de Alimentación Nom.3.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
FP
Memoria, Tipo
TSOP-II
Densidad de DRAM
16Mbit
Tipo de Interfaz IC
Parallel
Frecuencia de Reloj
-
Tiempo de Acceso
50ns
Tensión de Alimentación Nom.
3.3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Configuración Memoria DRAM
1M x 16bit
Densidad de Memoria
16
Configuración de Memoria
1M x 16bit
Frecuencia Max de Reloj
-
Estuche / Paquete CI
TSOP-II
No. de Pines
44Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto