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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS42S32800J-6TL
No. Parte Newark52Y2029
Hoja de datos técnicos
108 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $6.240 |
10+ | $5.800 |
25+ | $5.630 |
50+ | $5.490 |
100+ | $5.430 |
250+ | $5.350 |
500+ | $5.140 |
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS42S32800J-6TL
No. Parte Newark52Y2029
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMSDRAM
Densidad de Memoria256
Configuración de Memoria8M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj166
Estuche / Paquete CITSOP-II
No. de Pines86Pines
Tensión de Alimentación Nom.3.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.70
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
SDRAM
Configuración de Memoria
8M x 32bit
Estuche / Paquete CI
TSOP-II
Tensión de Alimentación Nom.
3.3
Temperatura de Trabajo Mín.
0
Rango de Producto
-
Densidad de Memoria
256
Frecuencia Max de Reloj
166
No. de Pines
86Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
70
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
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Certificado de conformidad del producto