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IS43DR16128C-25DBL
DRAM, 128M X 16BIT, WBGA-84
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS43DR16128C-25DBLCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark38AC1323
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS43DR16128C-25DBLCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark38AC1323
Hoja de datos técnicos
Configuración Memoria DRAM0
Tipo de DRAMDDR2
Densidad de Memoria2Gbit
Memoria, Tipo0
Densidad de DRAM0
Configuración de Memoria128M x 16bit
Frecuencia Max de Reloj400MHz
Frecuencia de Reloj0
Estuche / Paquete CIWBGA
Tiempo de Acceso0
No. de Pines84Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.8V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.0°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Especificaciones técnicas
Configuración Memoria DRAM
0
Densidad de Memoria
2Gbit
Densidad de DRAM
0
Frecuencia Max de Reloj
400MHz
Estuche / Paquete CI
WBGA
No. de Pines
84Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de DRAM
DDR2
Memoria, Tipo
0
Configuración de Memoria
128M x 16bit
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Nom.
1.8V
Temperatura de Trabajo Mín.
0°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
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Certificado de conformidad del producto