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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS43DR16640C-25DBLI-TR
No. Parte Newark65AC6013
Hoja de datos técnicos
1,647 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $6.440 |
10+ | $5.880 |
25+ | $5.450 |
50+ | $5.290 |
100+ | $5.130 |
250+ | $5.110 |
500+ | $4.800 |
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS43DR16640C-25DBLI-TR
No. Parte Newark65AC6013
Hoja de datos técnicos
Configuración Memoria DRAM0
Tipo de DRAMDDR2
Densidad de Memoria1Gbit
Memoria, Tipo0
Densidad de DRAM0
Configuración de Memoria64M x 16bit
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj400MHz
Estuche / Paquete CIBGA
Tiempo de Acceso0
No. de Pines84Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.8V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Especificaciones técnicas
Configuración Memoria DRAM
0
Densidad de Memoria
1Gbit
Densidad de DRAM
0
Frecuencia de Reloj
0
Estuche / Paquete CI
BGA
No. de Pines
84Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de DRAM
DDR2
Memoria, Tipo
0
Configuración de Memoria
64M x 16bit
Frecuencia Max de Reloj
400MHz
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Nom.
1.8V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
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Certificado de conformidad del producto