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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS43TR16640BL-107MBLICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark52Y2170
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS43TR16640BL-107MBLICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark52Y2170
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMDDR3L
Configuración Memoria DRAM64M x 16bit
Densidad de Memoria1
Densidad de DRAM1Gbit
Memoria, TipoBGA
Configuración de Memoria64M x 16bit
Frecuencia de Reloj933MHz
Frecuencia Max de Reloj933
Tipo de Interfaz ICParallel
Tiempo de Acceso195ps
Estuche / Paquete CIBGA
Tamaño de Página2048Byte
No. de Pines96Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.35
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.95
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
DDR3L
Densidad de Memoria
1
Memoria, Tipo
BGA
Frecuencia de Reloj
933MHz
Tipo de Interfaz IC
Parallel
Estuche / Paquete CI
BGA
No. de Pines
96Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
95
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Configuración Memoria DRAM
64M x 16bit
Densidad de DRAM
1Gbit
Configuración de Memoria
64M x 16bit
Frecuencia Max de Reloj
933
Tiempo de Acceso
195ps
Tamaño de Página
2048Byte
Tensión de Alimentación Nom.
1.35
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto