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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS61WV102416DBLL-10BLI
No. Parte Newark65AC6030
Hoja de datos técnicos
105 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $15.020 |
| 10+ | $13.930 |
| 25+ | $13.460 |
| 50+ | $13.130 |
| 100+ | $12.760 |
| 250+ | $12.140 |
| 960+ | $12.090 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS61WV102416DBLL-10BLI
No. Parte Newark65AC6030
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria0
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Configuración Memoria SRAM0
Densidad de Memoria16Mbit
Tensión de Alimentación, Rango0
Configuración de Memoria1M x 16bit
Estuche / Paquete CIBGA
Memoria, Tipo0
No. de Pines48Pines
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Mín.2.4V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3.3V
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria SRAM
0
Tensión de Alimentación, Rango
0
Estuche / Paquete CI
BGA
No. de Pines
48Pines
Tensión de Alimentación Mín.
2.4V
Tensión de Alimentación Nom.
3.3V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Densidad de Memoria
16Mbit
Configuración de Memoria
1M x 16bit
Memoria, Tipo
0
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
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