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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS61WV25616BLL-10BLICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark65AC6032
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520 En Stock
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS61WV25616BLL-10BLICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark65AC6032
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria0
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Configuración Memoria SRAM0
Densidad de Memoria4Mbit
Configuración de Memoria256K x 16bit
Tensión de Alimentación, Rango0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIBGA
No. de Pines48Pines
Tensión de Alimentación Mín.2.4V
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3.3V
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria SRAM
0
Configuración de Memoria
256K x 16bit
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
48Pines
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Nom.
3.3V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Densidad de Memoria
4Mbit
Tensión de Alimentación, Rango
0
Estuche / Paquete CI
BGA
Tensión de Alimentación Mín.
2.4V
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2B
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto