IS61WV6416EEBLL-10TLI

IS61WV6416EEBLL-10TLI es una RAM estática CMOS asíncrona de alta velocidad de 64K x 16 con ECC. Es una RAM estática de alta velocidad de 1,048,576 bits, organizada en 65,536 palabras por 16 bits. Está fabricado utilizando la tecnología CMOS de alto rendimiento de ISSI. Este proceso altamente confiable, combinado con técnicas innovadoras de diseño de circuitos, produce dispositivos de alto rendimiento y bajo consumo de energía. Cuando el CE activo bajo está en ALTO (deseleccionado), el dispositivo asume un modo de espera en el que la disipación de energía se puede reducir con niveles de entrada CMOS. Se proporciona una fácil expansión de memoria mediante el uso de entradas de habilitación de chip y habilitación de salida, CE y OE. La habilitación de escritura BAJA activa (WE activa baja) controla tanto la escritura como la lectura de la memoria. Un byte de datos permite el acceso al byte superior (UB activo-bajo) y al byte inferior (LB activo-bajo).

• El tiempo de acceso de alta velocidad es de 10ns.
• Baja potencia activa es 85mW (típica)
• La baja potencia en espera es de 7 mW (típico) en espera CMOS
• Funcionamiento totalmente estático: no requiere reloj ni actualización
• Fuente de alimentación única, tres salidas de estado
• Control de datos para bytes superiores e inferiores
• Detección de errores y corrección de errores
• La capacitancia de entrada es 6pF (Vin = 0V)
• Paquete TSOP (Tipo II)
• Rango de clasificación de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C