IS62WV25616EBLL-45BLI

IS62WV25616EBLL-45BLI es una RAM estática CMOS de ultra bajo voltaje y consumo de energía de 256Kx16. Es una RAM estática de 4M bits de alta velocidad organizada en 256K palabras por 16 bits. Está fabricado utilizando la tecnología CMOS de alto rendimiento de ISSI. Este proceso altamente confiable, combinado con técnicas innovadoras de diseño de circuitos, produce dispositivos de alto rendimiento y bajo consumo de energía. Cuando CS1# está en ALTO (deseleccionado) o cuando CS2 está en BAJO (deseleccionado) o cuando CS1# está en BAJO, CS2 está en ALTO y tanto LB# como UB# están en ALTO, el dispositivo asume un modo de espera en el que la disipación de energía se puede reducir con niveles de entrada CMOS. La expansión de memoria es fácil mediante el uso de entradas de habilitación de chip y habilitación de salida. La habilitación de escritura BAJA activa (WE#) controla tanto la escritura como la lectura de la memoria. Un byte de datos permite el acceso al byte superior (UB#) y al byte inferior (LB#).

• El tiempo de acceso de alta velocidad es de 45ns.
• La corriente de funcionamiento es de 22mA (máx.) a 85 °C, la corriente de espera CMOS es de 3.7uA (típica) a 25 °C.
• Niveles de interfaz compatibles con TTL
• La fuente de alimentación única es de 2.2V-3.6V VDD
• La capacitancia de entrada es 6pF (TA = 25 °C, f = 1 MHz, VDD = VDD(típ))
• Paquete mini BGA
• Rango de clasificación de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C