IRFP4229PBF

El IRFP4229PBF es un MOSFET de potencia de conmutador PDP de canal N único HEXFET® diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de paso, recuperación de energía y mantenimiento en paneles de pantalla de plasma. Utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de encendido por área de silicio y una clasificación EPULSE baja. Las características adicionales de este MOSFET son una temperatura de unión operativa de 175 °C y una alta capacidad de corriente máxima repetitiva. Se combina para hacer de este MOSFET un dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable para aplicaciones de control de PDP.

• Tecnología de proceso avanzada
• Clasificación EPULSE baja para reducir la disipación de energía
• Qg bajo para una respuesta rápida
• Gran capacidad de corriente pico repetitiva para un funcionamiento confiable
• Breve caída y tiempos de subida para la conmutación rápida
• Capacidad para soportar avalanchas repetitivas para mayor confiabilidad y robustez