Imprimir página
IRFP4768PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 93 A, 0.0145 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP4768PBF
No. Parte Newark08R4843
También conocido comoSP001571028
Hoja de datos técnicos
6,406 En Stock
¿Necesita más?
1670 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
4736 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.190 |
| 10+ | $7.160 |
| 25+ | $5.080 |
| 50+ | $4.800 |
| 100+ | $4.530 |
| 250+ | $4.410 |
| 800+ | $4.180 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$7.19
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP4768PBF
No. Parte Newark08R4843
También conocido comoSP001571028
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id56A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0145ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0145ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd520W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia520W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFP4768PBF es un mosfet de potencia de 250V un canal-N HEXFET® con resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio y desempeño de conmutación rápida utilizando tecnología Trench MOSFET. Adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación no interrumpida, conmutación de potencia de alta velocidad, circuitos de alta frecuencia y conmutación dura.
- Solidez de dv/dt dinámica, avalancha y compuerta mejoradas
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0145ohm
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
56A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0145ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
520W
Disipación de Potencia
520W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRFP4768PBF
2 productos encontrados
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto