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IXFH120N20P
MOSFET POT, CANAL N, 200V, 120A
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH120N20PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark58M7590
Su número de pieza
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 27 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $17.320 |
| 10+ | $15.090 |
| 25+ | $12.870 |
| 50+ | $10.640 |
| 100+ | $9.910 |
| 250+ | $9.180 |
| 500+ | $9.000 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$17.32
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH120N20PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark58M7590
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022
Resistencia de Activación Rds(on)0.022ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd714W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia714
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IXFH120N20P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and low drain-to-tab capacitance. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers and high speed power switching applications.
- International standard packages
- Avalanche rating
- Low Qg
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
120
Resistencia de Activación Rds(on)
0.022ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
714W
Disipación de Potencia
714
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto