Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH16N80PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark58M7593
Su número de pieza
3 En Stock
435 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.600 |
| 10+ | $9.180 |
| 25+ | $7.760 |
| 50+ | $6.340 |
| 100+ | $5.820 |
| 250+ | $5.400 |
| 500+ | $5.350 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$10.60
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH16N80PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark58M7593
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.6
Resistencia de Activación Rds(on)0.6ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd460W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia460
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
The IXFH16N80P is a PolarHV™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast recovery diode.
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- International standard package
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.6
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia de Activación Rds(on)
0.6ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
460W
Disipación de Potencia
460
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto