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IXFK88N30P
MOSFET de Potencia, PolarFET, Canal N, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-264, Agujero Pasante
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFK88N30P
No. Parte Newark58M7616
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 44 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $16.620 |
| 10+ | $12.490 |
| 25+ | $12.110 |
| 50+ | $11.470 |
| 100+ | $11.070 |
| 250+ | $10.620 |
| 500+ | $10.420 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$16.62
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFK88N30P
No. Parte Newark58M7616
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds300
Intensidad Drenador Continua Id88
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04
Resistencia de Activación Rds(on)0.04ohm
Diseño de TransistorTO-264
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd600W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia600
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El IXFK88N30P es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N único con diodo intrínseco rápido (HiPerFET™). Cuenta con baja resistencia a encendido estático de drenaje a fuente y alta densidad de potencia. Es adecuado para convertidores de CD a CD, cargadores de batería, interruptores de CD, fuentes de alimentación de modo de conmutación y de modo resonante.
- Paquetes estándar internacionales
- Calificación de avalancha
- Bajo Qg
- Baja inductancia del paquete.
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
88
Resistencia de Activación Rds(on)
0.04ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
600W
Disipación de Potencia
600
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
300
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04
Diseño de Transistor
TO-264
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto