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IXFN420N10T
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 420 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 5 V
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFN420N10T
No. Parte Newark71AH4551
Rango de ProductoGigaMOS HiperFET Series
Hoja de datos técnicos
60 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $34.650 |
| 5+ | $30.090 |
| 10+ | $26.700 |
| 30+ | $25.790 |
| 50+ | $24.970 |
| 100+ | $24.490 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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$34.65
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFN420N10T
No. Parte Newark71AH4551
Rango de ProductoGigaMOS HiperFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id420A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0023ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.07kW
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoGigaMOS HiperFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
420A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0023ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia
1.07kW
Rango de Producto
GigaMOS HiperFET Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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