Imprimir página
IXFP5N100P
MOSFET, N-CH, 1KV, 5A, TO-220 ROHS COMPLIANT: YES
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFP5N100P
No. Parte Newark71AH4555
Rango de ProductoPolar HiPerFET
Hoja de datos técnicos
314 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.920 |
| 10+ | $3.740 |
| 25+ | $3.490 |
| 50+ | $3.330 |
| 100+ | $3.140 |
| 250+ | $2.980 |
| 500+ | $2.940 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.92
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFP5N100P
No. Parte Newark71AH4555
Rango de ProductoPolar HiPerFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1kV
Intensidad Drenador Continua Id5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.8ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6V
Disipación de Potencia250W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoPolar HiPerFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
250W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
Polar HiPerFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.8ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (12-Jan-2017)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto