Imprimir página
IXFN38N100P
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 38 A, 1 kV, 0.21 ohm, 10 V, 6.5 V
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN38N100P
No. Parte Newark03AH0752
Rango de ProductoPolar/ HiperFET Series
Hoja de datos técnicos
247 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $46.010 |
| 5+ | $42.720 |
| 10+ | $38.970 |
| 25+ | $38.200 |
| 50+ | $37.410 |
| 100+ | $36.640 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$46.01
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN38N100P
No. Parte Newark03AH0752
Rango de ProductoPolar/ HiperFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id38
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Resistencia de Activación Rds(on)0.21ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.21
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6.5
Disipación de Potencia Pd1kW
Disipación de Potencia1
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoPolar/ HiperFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
Rectificador intrínseco rápido de modo de mejora de canal N adecuado para su uso en convertidores CD-CD, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, control de motores de CA, aplicación de conmutación de potencia de alta velocidad.
- MOSFET de potencia Polar™ HiperFET™
- Baja resistencia de puerta intrínseca
- miniBLOC con aislamiento de nitruro de aluminio
- Baja inductancia del paquete.
- Bajo RDS (encendido) y QG
- Alta densidad de potencia
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
38
Resistencia de Activación Rds(on)
0.21ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
1kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.21
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6.5
Disipación de Potencia
1
Rango de Producto
Polar/ HiperFET Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto