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IXFN80N50P
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 66 A, 500 V, 0.065 ohm, 10 V, 5 V
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN80N50P
No. Parte Newark03AH0777
Rango de ProductoPolarHV HiPerFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $36.360 |
| 5+ | $31.620 |
| 10+ | $26.900 |
| 25+ | $25.310 |
| 100+ | $23.730 |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN80N50P
No. Parte Newark03AH0777
Rango de ProductoPolarHV HiPerFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id66
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Resistencia de Activación Rds(on)0.065ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia700
Disipación de Potencia Pd700W
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoPolarHV HiPerFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
66
Resistencia de Activación Rds(on)
0.065ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
700
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia Pd
700W
Rango de Producto
PolarHV HiPerFET Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto