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IXFP36N20X3
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 36 A, 0.045 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFP36N20X3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark03AH0823
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.480 |
| 10+ | $5.450 |
| 25+ | $4.420 |
| 50+ | $3.400 |
| 100+ | $3.110 |
| 500+ | $2.640 |
| 1000+ | $2.540 |
| 2500+ | $2.500 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFP36N20X3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark03AH0823
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id36
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia170
Disipación de Potencia Pd170W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
MOSFET de potencia X3-Class HiPERFET™ de modo de mejora de canal N adecuado para su uso en convertidores de CD-CD, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, control de motores de CA y CD, circuitos PFC, aplicaciones de robótica y servocontroles.
- Bajo RDS (encendido) y QG
- Avalancha clasificada
- Baja inductancia del paquete.
- Alta densidad de potencia
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
170
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
36
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
170W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie Clase-X3 HiPerFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto