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IXFT170N25X3HV
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 170 A, 0.0074 ohm, TO-268HV, Montaje Superficial
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFT170N25X3HVCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark03AH0929
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $27.220 |
| 5+ | $24.770 |
| 10+ | $22.310 |
| 25+ | $19.860 |
| 50+ | $17.410 |
| 100+ | $16.330 |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFT170N25X3HVCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark03AH0929
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id170
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0074
Resistencia de Activación Rds(on)0.0074ohm
Diseño de TransistorTO-268HV
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia890
Disipación de Potencia Pd890W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
Diodo intrínseco rápido con clasificación de avalancha en modo de mejora de canal N adecuado para su uso en convertidores CD-CD, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, control de motores de CA y CD, circuitos PFC, aplicaciones de robótica y servocontroles.
- MOSFET de potencia HiPerFET™ de clase X3
- Bajo RDS (ON) y QG
- Baja inductancia del paquete.
- Alta densidad de potencia
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0074
Diseño de Transistor
TO-268HV
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
890
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
170
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0074ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
890W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie Clase-X3 HiPerFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto