Imprimir página
IXTA02N250HV
MOSFET de Potencia, Canal N, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTA02N250HVCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark03AH1240
Su número de pieza
75 En Stock
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $14.960 |
| 10+ | $10.570 |
| 25+ | $9.640 |
| 50+ | $8.690 |
| 100+ | $8.090 |
| 250+ | $7.740 |
| 500+ | $7.390 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$14.96
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTA02N250HVCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark03AH1240
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds2.5
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente450
Resistencia de Activación Rds(on)450ohm
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia Pd83W
Disipación de Potencia83
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Alternativas para el número de pieza IXTA02N250HV
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
Diodo intrínseco rápido de modo de mejora de canal N adecuado para uso en fuentes de alimentación de alto voltaje, descarga de capacitores y aplicaciones de circuitos de pulso.
- Paquete de alto voltaje
- Alto voltaje de bloqueo
- Baja inductancia del paquete.
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
2.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
450
Diseño de Transistor
TO-263AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
83W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia de Activación Rds(on)
450ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia
83
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto