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IXTA08N100D2
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263AA, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.180 |
| 10+ | $3.490 |
| 25+ | $2.820 |
| 50+ | $2.130 |
| 100+ | $1.930 |
| 500+ | $1.580 |
| 1000+ | $1.480 |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTA08N100D2
No. Parte Newark03AH1248
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id800
Resistencia de Activación Rds(on)21ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente21
Diseño de TransistorTO-263AA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia Pd60W
Disipación de Potencia60
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia de Activación Rds(on)
21ohm
Diseño de Transistor
TO-263AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
0
Disipación de Potencia Pd
60W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
21
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Disipación de Potencia
60
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto