IXTN200N10L2

IXTN200N10L2 es un MOSFET de potencia LinearL2™ con un área de operación segura de polarización directa (FBSOA) extendida, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren operación en la región de saturación de corriente. A diferencia del funcionamiento en modo de conmutación convencional, el funcionamiento en modo lineal somete a los MOSFET a un estrés térmico y eléctrico significativamente mayor debido a la presencia simultánea de altos voltajes y corrientes de drenaje, lo que a menudo conduce a fallas. Este dispositivo Littelfuse aborda estos desafíos con un diseño único que presenta baja resistencia térmica, alta densidad de potencia y FBSOA extendido. Al suprimir la inestabilidad electrotérmica, permite ventanas de funcionamiento más amplias y fiables. El FBSOA extendido está garantizado a 75 °C, lo que lo hace ideal para aplicaciones exigentes de modo lineal, como fusibles electrónicos, circuitos de intercambio en caliente, gestión de baterías, reguladores de corriente, amplificadores lineales, controladores de ventiladores, cargas programables y control de arranque suave.

• Configuración de canal N único
• Voltaje de drenaje-fuente de 100V (VDSS)
• Resistencia máxima de encendido (RDS(ON)) de 0.011ohm a 25 °C
• Corriente de drenaje continua de 178A (ID) a 25 °C
• Carga de compuerta de 540nC, resistencia térmica de 0.15K/W, unión a carcasa (RthJC)
• Disipación de potencia de 830W, tiempo de recuperación inversa de 245ns
• Avalancha clasificada
• Paquete SOT-227B (mini)