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IXTN600N04T2
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 600 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3.5 V
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTN600N04T2
No. Parte Newark03AH1600
Rango de ProductoTrenchT2 GigaMOS Series
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 100+ | $24.540 |
Precio para:Cada
Mínimo: 300
Múltiple: 10
$7,362.00
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTN600N04T2
No. Parte Newark03AH1600
Rango de ProductoTrenchT2 GigaMOS Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id600
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0013
Resistencia de Activación Rds(on)0.0013ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia940
Temperatura de Trabajo Máx.175
Disipación de Potencia Pd940W
Rango de ProductoTrenchT2 GigaMOS Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0013
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
940
Disipación de Potencia Pd
940W
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0013ohm
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
TrenchT2 GigaMOS Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto