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MMIX4B22N300
Módulo IGBT, Paquete de cuatro, 38 A, 2.2 V, 150 W, 150 °C, Module
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteMMIX4B22N300
No. Parte Newark03AH2673
Rango de ProductoSerie BIMOSFET
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteMMIX4B22N300
No. Parte Newark03AH2673
Rango de ProductoSerie BIMOSFET
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTPaquete de cuatro
Corriente del Colector Continua38
Corriente de Colector DC38A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.2V
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.2
Disipación de Potencia Pd150W
Disipación de Potencia150
Temperatura de Trabajo Máx.150
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTSoldar
Voltaje Máx. Colector a Emisor3
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo3kV
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de ProductoSerie BIMOSFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Paquete de cuatro
Corriente de Colector DC
38A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.2
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Soldar
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
3kV
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente del Colector Continua
38
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.2V
Disipación de Potencia Pd
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
3
Tecnología IGBT
-
Rango de Producto
Serie BIMOSFET
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto