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23K256-I/SN
IC, SRAM, SERIAL, 256K, 2.7V, SOIC8
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte Fabricante23K256-I/SN
No. Parte Newark71P4704
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria0
Tipo de SRAMSynchronous SRAM
Configuración Memoria SRAM0
Densidad de Memoria256Kbit
Configuración de Memoria32K x 8bit
Tensión de Alimentación, Rango0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CISOIC
Núm. de Contactos8Pines
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3.3V
Frecuencia Max de Reloj20MHz
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria SRAM
0
Configuración de Memoria
32K x 8bit
Memoria, Tipo
0
Núm. de Contactos
8Pines
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nom.
3.3V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de SRAM
Synchronous SRAM
Densidad de Memoria
256Kbit
Tensión de Alimentación, Rango
0
Estuche / Paquete CI
SOIC
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Frecuencia Max de Reloj
20MHz
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza 23K256-I/SN
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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